| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669290671 |
| Дата корректировки | 11:23:52 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592:537.311.322 |
| Зайнабидинов, С. З. | |
|
Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)[1-x-y] (Ge)[2][x] (ZnSe)[y] на основе GaAs Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs)[1-x-y] (Ge)[2][x] (ZnSe)[y] на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка является монокристаллической с ориентацией (100) и имеет сфалеритную структуру. Параметр кристаллической решетки пленки составлял a[f] = 0.56697 нм. Особенности спектральной зависимости фоточувствительности обусловлены образованием различных комплексов заряженных компонентов. |
|
эпитаксиальные пленки твердые растворы жидкофазная эпитаксия молекулярно-пучковая эпитаксия эпитаксиальные гетероструктуры фотоэлектрические свойства гетероструктур эпитаксиальные слои твердого раствора |
|
|
Саидов, А. С. Лейдерман, А. Ю. Каланов, М. У. Усмонов, Ш. Н. Рустамова, В. М. Бобоев, А. Й. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 1. - С. 60-66 |
|
| Имя макрообъекта | Зайнабидинов_получение |
| Тип документа | b |
