| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669207647 |
| Дата корректировки | 11:49:17 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Гуткин, М. Ю. | |
|
Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN-Ga[2]O[3] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил, табл. |
| Библиография | Библиогр.: 51 назв. |
| Аннотация | Рассмотрены начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем зарождения прямоугольных призматических дислокационных петель (ПДП) в модельных композитных наноструктурах, представляющих собой сферические или цилиндрические оболочки GaN, выращенные на сплошных или полых ядрах бета-Ga[2]O[3], а также плоские тонкие пленки GaN на подложках бета-Ga[2]O[3]. Исследованы три характерные конфигурации ПДП: квадратные петли и петли, вытянутые вдоль и поперек границы раздела GaN/Ga[2]O[3]. При этом изучалось зарождение ПДП от границы раздела в оболочку (пленку) GaN, со свободной поверхности в оболочку (пленку) GaN и от границы раздела в ядро (подложку) бета-Ga[2]O[3]. Показано, что при наименьшей известной оценке решеточного несоответствия (2.6%) в некоторых из рассмотренных наноструктур не могут зародиться никакие ПДП. Если же зарождение ПДП возможно, то во всех рассмотренных наноструктурах энергетически выгоднее случай, когда ПДП вытянуты вдоль границ GaN/Ga[2]O[3], причем предпочтительнее их зарождение со свободной поверхности GaN. Определены наноструктуры GaN/Ga[2]O[3], наиболее и наименее устойчивые к образованию ПДП. Наиболее устойчивой к зарождению петель наноструктурой оказалась плоская двухслойная пластина GaN/Ga[2]O[3], что объясняется действием альтернативного механизма релаксации напряжений несоответствия за счет изгиба пластины. Наименее устойчивой наноструктурой оказалась плоская трехслойная пластина GaN/Ga[2]O[3]/GaN, в которой пленки GaN имеют одинаковую толщину и отсутствует изгиб пластины как целого. Для всех исследованных наноструктур и трех известных оценок решеточного несоответствия (2.6, 4.7 и 10.1%) выполнены расчеты критических толщин оболочки (пленки) GaN, которые необходимо превысить при выращивании этих оболочек (пленок), чтобы избежать образования в них ПДП. |
|
наноструктуры композитные наноструктуры напряжения несоответствия релаксация напряжений несоответствия дислокационные петли призматические дислокационные петли |
|
| Другие авторы | Смирнов, А. М. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 8. - С. 1558-1567 |
| Имя макрообъекта | Гуткин_начальные |
| Тип документа | b |
