| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/668775556 |
| Дата корректировки | 9:48:31 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Балашова, Е. В. | |
|
Антисегнетоэлектрические пленки дейтерированного бетаинфосфата Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| Аннотация |
Тонкие пленки частично дейтерированного бетаинфосфата выращены методом испарения на подложках Al[2]O[3](110) и NdGaO[3](001) с предварительно нанесенной на них встречно-штыревой системой электродов. Пленки обладают поликристаллической блочной структурой с характерными размерами блоков порядка 0.1-1.5 mm. Степень дейтерирования пленок D составляет 20-50%. В полученных структурах при температуре антисегнетоэлектрического фазового перехода T{afe}[c] = 100-114K наблюдается аномалия емкости C, которая не сопровождается изменением тангенса угла диэлектрических потерь tg дельта. Сильносигнальный диэлектрический отклик характеризуется появлением сегнетоэлектрической нелинейности при T>T{afe}[c] , которая трансформируется в антисегнетоэлектрическую при T |
|
пленки тонкие пленки антисегнетоэлектрические пленки пленки бетаинфосфата бетаинфосфат дейтерированный бетаинфосфат |
|
| Другие авторы | Кричевцов, Б. Б. |
|
Свинарев, Ф. Б. Зайцева, Н. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 7. - С. 1351-1359 |
| Имя макрообъекта | Балашова_антисегнетоэлектрические |
| Тип документа | b |
