| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/668252966 |
| Дата корректировки | 8:35:49 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Новиков, С. В. | |
|
Вклад селективного рассеяния в увеличение термоэдс нанокристаллических пленок Cr[1-x]Si[x] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты экспериментального изучения термоэдс и электропроводности аморфных и нанокристаллических пленок системы Cr[1-x] Si[x] (0.65 < x < 0.89) при температурах 300-800 K. Показано, что аморфные пленки быстро кристаллизуются при температурах выше 550 K. В ходе кристаллизации пленки переходят в нанокристаллическое состояние. Скорость кристаллизации быстро уменьшается с понижением температуры. Выполнено in situ измерение термоэдс и удельного сопротивления пленки CrSi[2] в ходе изотермического отжига при температуре 496 K. Показано, что при кристаллизации появляется дополнительный вклад в термоэдс, связанный с селективным рассеянием носителей заряда на границах нанокристаллов. |
|
пленки аморфные пленки нанокристаллические пленки термоэдс электропроводность селективное рассеяние носителей заряда |
|
| Другие авторы | Бурков, А. Т. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 6. - С. 1054-1057 |
| Имя макрообъекта | Новиков_вклад |
| Тип документа | b |
