| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/668180542 |
| Дата корректировки | 8:34:48 1 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Агеев, О. А. | |
|
Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Проведен термодинамический анализ и определены теоретические закономерности процессов межфазного взаимодействия в системе Ga-As-О с учетом нелинейных теплофизических свойств соединений, состава оксидных пленок и режимов молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs. Проведены экспериментальные исследования процессов взаимодействия собственного окисла GaAs с материалом подложки, а также с Ga и As[4] из парогазовой фазы. Показана корреляция экспериментальных результатов с результатами термодинамического анализа. Предложены закономерности влияния процессов удаления собственного окисла на эволюцию морфологии поверхности GaAs в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. |
|
окислы многокомпонентные окислы арсенид галлия молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
| Другие авторы | Балакирев, С. В. |
|
Солодовник, М. С. Еременко, М. М. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 5. - С. 1011-1018 |
| Имя макрообъекта | Агеев_влияние |
| Тип документа | b |
