| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/668077489 |
| Дата корректировки | 8:42:20 17 ноября 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Орлов, А. М. | |
|
Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях {111} при анодной обработке n-GaAs Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей {111} n-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости (111) As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей {111} GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As[2]O[3] и аморфным Ga[2]O[3]. |
|
пленки окисные пленки арсенид галлия оксид мышьяка оксид галлия анодное окисление формирование окислов |
|
| Другие авторы | Явтушенко, И. О. |
| Махмуд-Ахунов, М. Ю. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 4. - С. 791-797 |
| Имя макрообъекта | Орлов_кинетические |
| Тип документа | b |
