Поиск

Структура вакантных электронных состояний поверхности окисленного германия при осаждении пленок перилен-тетракарбонового диангидрида

Авторы: Комолов, А. С. Лазнева, Э. Ф. Герасимова, Н. Б. Панина, Ю. А. Барамыгин, А. В. Зашихин, Г. Д. Пшеничнюк, С. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/667402782
Дата корректировки 8:37:57 5 августа 2021 г.
Служба первич. каталог. Войтик
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Комолов, А. С.
Структура вакантных электронных состояний поверхности окисленного германия при осаждении пленок перилен-тетракарбонового диангидрида
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 35 назв.
Аннотация Приведены результаты исследования пограничного потенциального барьера и вакантных электронных состояний в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровня Ферми E[F] при осаждении на поверхность окисленного германия ((GeO[2])Ge) пленок перилен-тетракарбонового диангидрида (PTCDA). Содержание окисла на поверхности (GeO[2])Ge определяли методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. В экспериментах использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка низкоэнергетических электронов, реализованную в режиме спектроскопии полного тока. Теоретический анализ включал в себя расчет энергий и пространственного распределения орбиталей молекул PTCDA методом теории функционала плотности (DFT) с использованием функционала B3LYP в базисе 6-31G(d) и последующее масштабирование рассчитанных значений энергий орбиталей согласно процедуре, хорошо зарекомендовавшей себя при исследованиях малых сопряженных органических молекул. Исследована закономерность изменения тонкой структуры спектров полного тока в процессе увеличения толщины покрытия PTCDA на поверхности (GeO[2])Ge до 6 nm. При энергиях ниже 9 eV над E[F] в пленке PTCDA расположен максимум плотности незаполненных электронных состояний, образованный преимущественно пи* орбиталями молекул. Более высоколежащие максимумы плотности незаполненных состояний имеют сигма* характер. Формирование пограничного потенциального барьера при осаждении PTCDA на поверхность (GeO[2])Ge сопровождается увеличением работы выхода поверхности, E[vac] - E[F] от 4.6 ± 0.1 до 4.9 ± 0.1 eV. Это происходит при увеличении толщины покрытия PTCDA до 3 nm, а при дальнейшем осаждении PTCDA работа выхода поверхности практически не изменяется, что соответствует модели формирования ограниченного поляризационного слоя в осаждаемой органической пленке.
пленки
перилен-тетракарбоновый диангидрид
окисленный германий
осаждение пленок
электронные состояния
пограничный барьер пленки
Другие авторы Лазнева, Э. Ф.
Герасимова, Н. Б.
Панина, Ю. А.
Барамыгин, А. В.
Зашихин, Г. Д.
Пшеничнюк, С. А.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 58, вып. 2. - С. 367-371
Имя макрообъекта Комолов_структура
Тип документа b