Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/667402782 |
Дата корректировки | 8:37:57 5 августа 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Комолов, А. С. | |
Структура вакантных электронных состояний поверхности окисленного германия при осаждении пленок перилен-тетракарбонового диангидрида Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 35 назв. |
Аннотация | Приведены результаты исследования пограничного потенциального барьера и вакантных электронных состояний в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровня Ферми E[F] при осаждении на поверхность окисленного германия ((GeO[2])Ge) пленок перилен-тетракарбонового диангидрида (PTCDA). Содержание окисла на поверхности (GeO[2])Ge определяли методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. В экспериментах использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка низкоэнергетических электронов, реализованную в режиме спектроскопии полного тока. Теоретический анализ включал в себя расчет энергий и пространственного распределения орбиталей молекул PTCDA методом теории функционала плотности (DFT) с использованием функционала B3LYP в базисе 6-31G(d) и последующее масштабирование рассчитанных значений энергий орбиталей согласно процедуре, хорошо зарекомендовавшей себя при исследованиях малых сопряженных органических молекул. Исследована закономерность изменения тонкой структуры спектров полного тока в процессе увеличения толщины покрытия PTCDA на поверхности (GeO[2])Ge до 6 nm. При энергиях ниже 9 eV над E[F] в пленке PTCDA расположен максимум плотности незаполненных электронных состояний, образованный преимущественно пи* орбиталями молекул. Более высоколежащие максимумы плотности незаполненных состояний имеют сигма* характер. Формирование пограничного потенциального барьера при осаждении PTCDA на поверхность (GeO[2])Ge сопровождается увеличением работы выхода поверхности, E[vac] - E[F] от 4.6 ± 0.1 до 4.9 ± 0.1 eV. Это происходит при увеличении толщины покрытия PTCDA до 3 nm, а при дальнейшем осаждении PTCDA работа выхода поверхности практически не изменяется, что соответствует модели формирования ограниченного поляризационного слоя в осаждаемой органической пленке. |
пленки перилен-тетракарбоновый диангидрид окисленный германий осаждение пленок электронные состояния пограничный барьер пленки |
|
Другие авторы | Лазнева, Э. Ф. |
Герасимова, Н. Б. Панина, Ю. А. Барамыгин, А. В. Зашихин, Г. Д. Пшеничнюк, С. А. |
|
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 58, вып. 2. - С. 367-371 |
Имя макрообъекта | Комолов_структура |
Тип документа | b |