| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/667300013 |
| Дата корректировки | 8:20:32 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Коплак, О. В. | |
|
Распределение изотопов {28}Si, {29}Si и {30}Si под действием пластической деформации в приповерхностных слоях кристаллов Si : B Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Обнаружено перераспределение изотопов {28}Si, {29}Si и {30}Si в приповерхностных слоях монокристаллов Si : B после их пластической деформации. Установлено, что после деформации профиль распределения изотопов {28}Si, {29}Si становится более плавным, а распределение изотопа {30}Si не изменяется. Обнаружено изменение приповерхностного профиля оксида {29}SiO, которое свидетельствует о миграции изотопа {29}Si в составе кислородных комплексов при пластической деформации. |
|
монокристаллы кристаллы кремния деформация в кристаллах пластическая деформация приповерхностные слои кристаллов |
|
| Другие авторы | Васильев, М. А. |
| Моргунов, Р. Б. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 2. - С. 242-245 |
| Имя макрообъекта | Коплак_распределение |
| Тип документа | b |
