| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/667298391 |
| Дата корректировки | 8:27:01 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Коплак, О. В. | |
|
Релаксация ядерных спинов {29}Si в микрокристаллах пластически деформированных образцов Si : B Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Монокристаллы и микрокристаллы Si : B, обогащенные изотопом {29}Si, были исследованы методами ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в диапазоне температур 300-800 K. Установлено, что повышение температуры от 300 до 500 K приводит к смене кинетики релаксации насыщенной ядерной спиновой системы. При 300 K кинетика релаксации отвечает прямому электронно-ядерному взаимодействию с неоднородно распределенными парамагнитными центрами, введенными при пластической деформации кристаллов. При 500 K спиновая релаксация реализуется путем ядерной спиновой диффузии и электронно-ядерным взаимодействием с акцепторной примесью. Обнаружено влияние пластической деформации на спектры ЭПР при 9 K. |
|
монокристаллы микрокристаллы кристаллы кремния изотопно-обогащенный кремний ядерные спины ядерная спиновая динамика пластическая деформация |
|
| Другие авторы | Моргунов, Р. Б. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 2. - С. 235-241 |
| Имя макрообъекта | Коплак_релаксация |
| Тип документа | b |
