| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/666799116 |
| Дата корректировки | 15:04:36 16 февраля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.383.8 |
| Булярский, С. В. | |
|
Фотоприемники на основе CuInS[2] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS[2] и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны. |
|
фотоприемники халькогениды меди неупорядоченные полупроводники халькогенидные соединения |
|
|
Вострецова, Л. Н. Гаврилов, С. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 1. - С. 106-111 |
|
| Имя макрообъекта | Булярский_фотоприемники |
| Тип документа | b |
