Индекс УДК | 544.6 |
Компакты из легированного бором синтетического алмаза: электрохимические свойства образцов с предельно высоким уровнем легирования Ю. В. Плесков, М. Д. Кротова, Е. А. Екимов |
|
Аннотация | Компакты из легированного бором алмаза с предельно высоким уровнем легирования были получены при давлении 8–9 ГПа и температурах около 2500 K из смесей графита и 5 или 7% карбида бора (B4C). Содержание бора в алмазе, оцененное по параметру решетки алмаза (соответственно, 0. 3573–0. 3575 и 0. 3576–0. 3578 нм), имеет максимальное значение около 1–3 и 3–4%. Полученные компакты демонстрируют на примере реакции анодного выделения хлора наибольшую для всех известных алмазных, алмазсодержащих и алмазоподобных электродных материалов электрохимическую активность. В согласии с найденной ранее общей закономерностью для алмазных, алмаз-содержащих и алмазоподобных материалов, и в данном случае с ростом уровня легирования, заметен некоторый рост электроактивности материала (тока реакции электроокисления ионов хлора). Показана возможность использования электродов из высоколегированных бором алмазных компактов для электроаналитического определения этилендиаминтетрауксусной кислоты в водном растворе по току ее окисления. |
Название источника | Электрохимия |
Место и дата издания | 2019 |
Прочая информация | Т. 55, № 3. - С. 278-285 |