| Индекс УДК | 546 |
|
Модель модифицированного метода зонной плавки твердых растворов в системе InAs-GaAs З. А. Агамалиев, М. А. Рамазанов, Г. Х. Аждаров |
|
| Аннотация | Даны концепция и теоретическая основа нового модифицированного метода зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов с использованием затравок составных компонентов. В приближении полностью размешанного расплава решена задача концентрационного распределения компонентов по длине кристаллов системы InAs-GaAs, выращенных при различных технологических параметрах, таких как длина расплавленной зоны, материал исходных затравок и макрооднородных стержней твердых растворов. Анализ полученных результатов определяет оптимальные условия для выращивания монокристаллов с заданными однородным и градиентным составами во всем ряду непрерывных твердых растворов InAs-GaAs. Показана перспективность модифицированного метода зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 55, № 3. - С. 231-235 |
|
https://sciencejournals.ru/list-issues/neorgmat/ |
