Поиск

Мемристорная структура с эффектом переключения сопротивления на основе тонких пленок нитрида кремния

Авторы: Комаров, Ф. Ф. Романов, И. А. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н. Цивако, А. А. Ковальчук, Н. С.
Краткая информация
Маркер записи n 22 4500
Контрольный номер BY/FL BSU/Stat/Lesovaya/37799f0d2ab24b05a79c88d824320c08
Дата корректировки 13:11:30 30 сентября 2020 г.
Кодируемые данные 200911s2020||||by |||||||||||||||||rus||
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Белорусского государственного университета
БелАР
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 621.375
Индекс ББК 32.86
070
Комаров, Ф. Ф.
член-корреспондент
Фадей Фадеевич
Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ
Мемристорная структура с эффектом переключения сопротивления на основе тонких пленок нитрида кремния
Ф. Ф. Комаров, И. А. Романов, Л. А. Власукова [и др.]
Текст
непосредственный
Библиография Библиогр.: с. 409 (15 назв.)
Аннотация Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si.
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Ключевые слова оптоэлектроника
нитрид кремния
мемристоры
вольт-амперные характеристики
пленки
проводимость
070
Романов, И. А.
Иван Александрович
Белорусский государственный университет
070
Власукова, Л. А.
кандидат физико-математических наук
Людмила Александровна
Белорусский государственный университет
070
Пархоменко, И. Н.
кандидат физико-математических наук
Ирина Николаевна
Белорусский государственный университет
070
Цивако, А. А.
Алексей Александрович
ОАО "Интеграл"
070
Ковальчук, Н. С.
кандидат технических наук
Наталья Станиславовна
ОАО "Интеграл"
2020
Т. 64, № 4. - С. 403-410
Доклады Национальной академии наук Беларуси
1561-8323
RU
863
Тип документа b
Физика