Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | phcs20_to46_no4_ss404_ad1 |
Дата корректировки | 14:05:26 28 августа 2020 г. |
Кодируемые данные | 200729s2020||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
Системный контрольный номер | RUMARS-phcs20_to46_no4_ss404_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
БГТУ МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК | 621.3.049.77 |
Индекс ББК | 31.233 |
Таблицы для массовых библиотек | |
Галашев, А. Е. Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН; Уральский федеральный университет им. Первого президента России Б. Н. Ельцина 070 |
|
Устойчивость двухслойного силицена на никелевой подложке при интеркаляции лития А. Е. Галашев, О. Р. Рахманова |
|
Текст | |
непосредственный | |
Библиография | Библиогр.: с. 414-415 (28 назв. ) |
Аннотация | В молекулярно-динамическом эксперименте исследованы процессы литизации и делитизации совершенного и дефектного (содержащего моновакансии) силиценового канала, находящегося на подложке Ni (III). Показано, что такая система может существовать во времени, не разрушаясь, вплоть до 1 нс. Предельное количество ионов лития, интеркалируемых в канал, для модифицированного моновакансиями силицена на 20% выше, чем для бездефектной структуры. При этом, силиценовые листы не разрушаются и сохраняют свою целостность. Преимущественное наблюдаемое расположение атомов лития в канале - над центрами гексагональных кремниевых колец. В канале, образованном совершенным силиценом, коэффициент подвижности лития в два раза выше, чем в дефектной структуре. В целом, никель в качестве подложки для силиценового канала может выступать перспективным материалом с точки зрения достижения высокой динамической емкости силиценового электрода для литий-ионных батарей. |
Энергетика AR-MARS Полупроводниковые материалы и изделия AR-MARS |
|
Ключевые слова |
коэффициенты диффузии интеркаляция деинтеркаляция литий молекулярная динамика никель силицен литизация делитизация силиценовые электроды электроды силиценовые литий-ионные батареи натрий-ионные батареи квантово-механические расчеты дефекты Стоуна-Уэльса Стоуна-Уэльса дефекты молекулярно-динамическое моделирование |
Рахманова, О. Р. Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН; Уральский федеральный университет им. Первого президента России Б. Н. Ельцина 070 |
|
ISSN | 0132-6651 |
Название источника | Физика и химия стекла |
Место и дата издания | 2020 |
Прочая информация | Т. 46, № 4. - С. 404-415 |
RU 22013539 20200729 RCR |
|
RU 22013539 20200729 |
|
RU AR-MARS 20200729 RCR |
|
RU AR-MARS 20200729 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
phcs 2020 46 4 404 1 |
|
14889 |