Влияние химического состава на структуру и физические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Ge-Se - Статьи - Базы данных - БГТУ

Влияние химического состава на структуру и физические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Ge-Se

Авторы: Исаев, А. И. Мехтиева, С. И. Мамедова, Х. И. Алекберов, Р. И.

Подробная информация

Индекс УДК	666.113.32
	Влияние химического состава на структуру и физические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Ge-Se А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, Х. И. Мамедова, Р. И. Алекберов
Аннотация	Методами дифракции рентгеновских лучей и измерения плотности (в масштабе ближнего и среднего порядков) исследовано влияние химического состава на параметры локальной структуры и физические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) системы As-Ge-Se. Изменения, происходящие в численных значениях длины корреляции, квазипериода в области среднего порядка, а также коэффициента упаковки, компактности, среднего значения атомного объема и количества ограничений интерпретированы в рамках кластерно-пустотной модели и теории топологических ограничений существованием химического порога перколяции.
Название источника	Физика и химия стекла
Место и дата издания	2020
Прочая информация	Т. 46, № 1. - С. 64-73