| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | uchm19_to88_no11_ss1081_ad1 |
| Дата корректировки | 9:45:43 28 декабря 2019 г. |
| Кодируемые данные | 191220s2019||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-uchm19_to88_no11_ss1081_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Чувашского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 544 |
| Индекс ББК |
24.5 24.5 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Вдовин, Е. Е. кандидат физико-математических наук; ведущий научный сотрудник z01710 070 |
|
|
Резонансно-туннельная спектроскопия ван-дер-ваальсовых гетеросистем [Текст] Е. Е. Вдовин, К. С. Новоселов, Ю. Н. Ханин |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 11 рис. |
| Библиография | Библиогр.: с. 1092-1093 (40 назв. ) |
| Аннотация | Представлен краткий обзор работ, в основном экспериментального характера, освещающих наиболее интересные аспекты применения метода резонансно-туннельной спектроскопии в исследованиях нового типа гетеросистем - ван-дер-ваальсовых гетероструктур, появившихся в результате открытия двумерных кристаллов - нового класса материалов, родоначальником которого является графен. Рассмотрены роль углового согласования кристаллических решеток проводящих графеновых электродов в процессах туннелирования носителей между ними и тесно связанные с этим вопросы выполнения законов сохранения при туннельных переходах. Обсуждены результаты экспериментов по неупругому туннелированию в сильно разориентированных по углу гетеросистемах графен/гексагональный нитрид бора/графен, которые позволили определить спектр фононных плотностей состояний слоев, составляющих гетеросистему, а также зарегистрировать и описать процессы туннельных переходов с участием локализованных состояний дефектов кристаллической структуры барьерного нитрида бора. Рассмотрены новые результаты исследований туннелирования и магнитотуннелирования в ван-дер-ваальсовых гетеросистемах, демонстрирующие возможности практического применения резонансно-туннельных эффектов, в частности в СВЧ-технике, основанные на реализации приборов с областями отрицательной дифференциальной проводимости на вольт-амперных характеристиках при туннелировании через дефектные уровни барьерных слоев в таких системах. В этих работах обнаружены два новых типа гетеросистем, в которых области отрицательной дифференциальной проводимости реализуются в результате процессов резонансного туннелирования через уровни дефектов в барьерном нитриде бора, а также происходит генерация тока, обусловленная наличием дефектов. |
|
Химия AR-MARS Физическая химия в целом AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
ван-дер-ваальсовые гетеросистемы Ландау уровни полевые туннельные транзисторы резонансно-туннельная спектроскопия резонансно-туннельные эффекты резонансное туннелирование туннелирование уровни Ландау |
|
Новоселов, К. С. кандидат физико-математических наук; профессор 070 z02710 Ханин, Ю. Н. кандидат физико-математических наук; старший научный сотрудник 070 z03710 |
|
|
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук z01100 Вторичная ответственность University of Manchester School of Physics and Astronomy z02700 Великобритания Вторичная ответственность Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук z03700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0042-1308 |
| Название источника | Успехи химии |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 88, № 11. - С. 1081-1093 |
|
RU 42813093 20191220 RCR |
|
|
RU 42813093 20191220 |
|
|
RU AR-MARS 20191220 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20191220 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
uchm 2019 88 11 1081 1 |
|
| 244 | |
|
Vdovin, E. E. Novoselov, K. S. Khanin, Yu. N. |
