| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zhps18_to86_no1_ss146_ad1 |
| Дата корректировки | 12:59:31 29 апреля 2019 г. |
| Кодируемые данные | 190416s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zhps18_to86_no1_ss146_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Индекс ББК | 22.344 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Ворона, И. П. 070 z01710 |
|
|
Электронный парамагнитный резонанс ионов Mn{2+} в наноразмерном сульфиде цинка с планарным дефектом решетки [Текст] И. П. Ворона [и др.] |
|
| Библиография | Библиогр.: с. 150 (22 назв. ) |
| Аннотация | Изучен ЭПР ионов Mn{2+} в трех образцах кубического нано-ZnS, различающихся технологией получения и размерами наночастиц. Марганец находится в образцах как неконтролируемая примесь. Спектры ЭПР могут быть описаны двумя компонентами - спектром иона Mn2+ в кубическом окружении (Mn{2+} (С) ) с параметрами g = 2. 0022 ± 0. 0002, A = (-63. 5 ± 0. 5) * 10 {- 4} cм {- 1}, b[4]0 * 3. 5 *10 {- 4} cм {- 1}, и спектром иона Mn{2+}, ассоциированного с планарным решеточным дефектом упаковки (Мn2+ (Д) ), с параметрами g = 2. 0022 ± 0. 0002, A = (-63. 5 ± 0. 5) * 10 {- 4} cм {- 1}, b[2]0 = (-36 ± 1) * 10{-4} cм {- 1}. Соотношение количества центров Mn{2+} (С) /Mn2+ (Д) 2. 1: 1 для образца 1 и 1. 7: 1 для образцов 2 и 3. Планарные дефекты упаковки являются характерными решеточными дефектами кубического нано-ZnS. ЭПР ионов Mn{2+} позволяет контролировать их наличие. |
|
Физика AR-MARS Спектроскопия AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
ZnS ЭПР марганец нано-ZnS наноразмерный сульфид цинка планарный решеточный дефект упаковки структура решетки сульфид цинка термолюминесценция электронный парамагнитный резонанс |
|
Ищенко, С. С. 070 z02710 Грачев, В. Г. 070 z03710 Баран, Н. П. 070 z04710 Окулов, С. М. 070 z05710 Носенко, В. В. 070 z06710 Селищев, А. В. 070 z07710 |
|
|
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины z01700 Вторичная ответственность Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины z02700 Вторичная ответственность Университет штата Монтана z03700 Вторичная ответственность Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины z04700 Вторичная ответственность Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины z05700 Вторичная ответственность Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины z06700 Вторичная ответственность Технический университет Хемница z07700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0514-7506 |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 86, № 1. - С. 146-150 |
|
RU 43013090 20190416 RCR |
|
|
RU 43013090 20190416 |
|
|
RU AR-MARS 20190416 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20190416 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zhps 2018 86 1 146 1 |
|
| 718 | |
| Краткие сообщения |
