| Индекс УДК | 666.113.32 |
|
Прыжковый механизм переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Pb[15]S[56.5] [Текст] Р. А. Кастро [и др.] |
|
| Аннотация | Представлены результаты исследования процессов переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28. 5]Рb[15]S[56. 5]. Обнаружена степенная зависимость удельной проводимости от частоты и уменьшение значения показателя степени s с ростом температуры. Перенос заряда является термически активированным процессом с наличием двух участков на температурной зависимости проводимости с энергиями активации Е1 = 0. 20 ± 0. 01 эВ и Е2 = 0. 50 ± 0. 01 эВ соответственно. Полученные результаты объясняются в рамках CBH модели прыжковой проводимости в неупорядоченных системах. Проведен расчет основных микропараметров системы: плотности локализованных состояний, длины прыжка, максимального значения высоты потенциального барьера. |
| Название источника | Физика и химия стекла |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 45, № 2. - С. 130-136 |
