Поиск

Одноступенчатый синтез гибрида пленок графена и ленточных графеновых структур

Авторы: Матвеев, В. Н. Волков, В. Т. Левашов, В. И. Кононенко, О. В. Ходос, И. И.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер noma18_to54_no3_ss240_ad1
Дата корректировки 15:40:52 30 июля 2018 г.
Кодируемые данные 180720s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-noma18_to54_no3_ss240_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Научная библиотека Дагестанского государственного университета
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 544
Индекс ББК 24.5
Таблицы для массовых библиотек
Матвеев, В. Н.
070
z01710
Одноступенчатый синтез гибрида пленок графена и ленточных графеновых структур
[Текст]
В. Н. Матвеев [и др.]
Иллюстрации/ тип воспроизводства 4 рис.
Библиография Библиогр.: с. 243 (21 назв. )
Аннотация Гибридные структуры, образованные графеновыми пленками и ленточными графеновыми слоями (0001), ориентированными перпендикулярно поверхности графеноподобной пленки, получены каталитическим разложением углеродсодержащего газа на подложке SiO[2]/Si с осажденным на подслой Al островковым Ni-катализатором. Гибридная структура формировалась в результате одноступенчатого CVD-процесса при кратковременном напуске ацетилена в камеру. Из полученных гибридных структур были изготовлены сенсоры для датчиков Холла c чувствительностью 3000 Ом/Тл. Синтезированные гибридные структуры могут быть перспективны для использования в наноэлектронных устройствах, накопителях энергии и др. Методика получения таких пленок совместима с используемыми в электронной промышленности технологиями.
Химия
AR-MARS
Физическая химия в целом
AR-MARS
Ключевые слова графен
электронная микроскопия
тонкие пленки
ленточные графеновые структуры
синтез
гибридные структуры
графеновые пленки
Волков, В. Т.
070
z02710
Левашов, В. И.
070
z03710
Кононенко, О. В.
070
z04710
Ходос, И. И.
070
z05710
Российская академия наук
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов
z01700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов
z02700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов
z03700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов
z04700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов
z05700
Вторичная ответственность
ISSN 0002-337X
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 54, № 3. - С. 240-243
RU
36713090
20180720
RCR
RU
36713090
20180720
RU
AR-MARS
20180720
RCR
RU
AR-MARS
20180720
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
noma
2018
54
3
240
1
13607