Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | noma18_to54_no3_ss240_ad1 |
Дата корректировки | 15:40:52 30 июля 2018 г. |
Кодируемые данные | 180720s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
Системный контрольный номер | RUMARS-noma18_to54_no3_ss240_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК | 544 |
Индекс ББК | 24.5 |
Таблицы для массовых библиотек | |
Матвеев, В. Н. 070 z01710 |
|
Одноступенчатый синтез гибрида пленок графена и ленточных графеновых структур [Текст] В. Н. Матвеев [и др.] |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | 4 рис. |
Библиография | Библиогр.: с. 243 (21 назв. ) |
Аннотация | Гибридные структуры, образованные графеновыми пленками и ленточными графеновыми слоями (0001), ориентированными перпендикулярно поверхности графеноподобной пленки, получены каталитическим разложением углеродсодержащего газа на подложке SiO[2]/Si с осажденным на подслой Al островковым Ni-катализатором. Гибридная структура формировалась в результате одноступенчатого CVD-процесса при кратковременном напуске ацетилена в камеру. Из полученных гибридных структур были изготовлены сенсоры для датчиков Холла c чувствительностью 3000 Ом/Тл. Синтезированные гибридные структуры могут быть перспективны для использования в наноэлектронных устройствах, накопителях энергии и др. Методика получения таких пленок совместима с используемыми в электронной промышленности технологиями. |
Химия AR-MARS Физическая химия в целом AR-MARS |
|
Ключевые слова |
графен электронная микроскопия тонкие пленки ленточные графеновые структуры синтез гибридные структуры графеновые пленки |
Волков, В. Т. 070 z02710 Левашов, В. И. 070 z03710 Кононенко, О. В. 070 z04710 Ходос, И. И. 070 z05710 |
|
Российская академия наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов z01700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов z02700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов z03700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов z04700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов z05700 Вторичная ответственность |
|
ISSN | 0002-337X |
Название источника | Неорганические материалы |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Т. 54, № 3. - С. 240-243 |
RU 36713090 20180720 RCR |
|
RU 36713090 20180720 |
|
RU AR-MARS 20180720 RCR |
|
RU AR-MARS 20180720 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
noma 2018 54 3 240 1 |
|
13607 |