Индекс УДК | 544.72 |
Размер однослойного графена, получаемого в ходе матричного синтеза на поверхности карбида кремния и в процессах cvd на различных подложках [Текст] Алексеев Н. И. |
|
Аннотация | Приведены оценки и расчет максимальной площади однородного графенового листа, формируемого в ходе высокотемпературной сублимации кремния на поверхности карбида кремния SiC и в процессах CVD.. |
Название источника | Журнал физической химии |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Т. 92, № 5. - С. 782-791 |
http://dx.doi.org/10.7868/S0044453718050187 |