Поиск

Размер однослойного графена, получаемого в ходе матричного синтеза на поверхности карбида кремния и в процессах cvd на различных подложках

Авторы: Алексеев, Н. И.
Подробная информация
Индекс УДК 544.72
Размер однослойного графена, получаемого в ходе матричного синтеза на поверхности карбида кремния и в процессах cvd на различных подложках
[Текст]
Алексеев Н. И.
Аннотация Приведены оценки и расчет максимальной площади однородного графенового листа, формируемого в ходе высокотемпературной сублимации кремния на поверхности карбида кремния SiC и в процессах CVD..
Название источника Журнал физической химии
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 92, № 5. - С. 782-791
http://dx.doi.org/10.7868/S0044453718050187