| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | phcs18_to44_no1_ss11_ad1 |
| Дата корректировки | 15:40:58 31 мая 2018 г. |
| Кодируемые данные | 180514s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-phcs18_to44_no1_ss11_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
БГТУ БГТУ |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 539.2 |
| Индекс ББК | 22.37 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Романова, В. А. z01710 070 |
|
|
Одномерные фотонные кристаллы SiO[2]-TiO[2]: моделирование и синтез методами золь-гель технологии [Текст] Романова В. А., Матюшкин Л. Б., Мошников В. А. |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: с. 23 (24 назв. ) |
| Аннотация | В работе предложены методы синтеза одномерных фотонных кристаллов SiO[2]-ТiO[2] методами золь-гель технологии. Методом матриц переноса рассчитаны и экспериментально созданы структуры, состоящие из 13 слоев чередующихся материалов, обладающих свойствами одномерных фотонных кристаллов с минимальным коэффициентом пропускания 7 % в области фотонной запрещенной зоны и коэффициентом пропускания 97. 5 % в остальной части спектра. Положение фотонных запрещенных зон меняется с толщиной слоев материалов, составляющих фотонный кристалл. Показана возможность создания оптического фильтра за счет внесения структурного дефекта в виде слоя удвоенной толщины. |
|
Физика AR-MARS Физика твердого тела. Кристаллография в целом AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
фотонные кристаллы кристаллы фотонные фотонная запрещенная зона золь-гель технология метод матриц переноса коэффициент пропускания эллипсометрия оптические фильтры фильтры оптические оксид кремния оксид титана фотоника |
|
Матюшкин, Л. Б. 070 z02710 Мошников, В. А. 070 z03710 |
|
|
z01100 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) Факультет электроники Вторичная ответственность Кафедра микро- и наноэлектроники z02700 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) Факультет электроники Вторичная ответственность Кафедра микро- и наноэлектроники z03700 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) Факультет электроники Вторичная ответственность Кафедра микро- и наноэлектроники |
|
| ISSN | 0132-6651 |
| Название источника | Физика и химия стекла |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 44, № 1. - С. 11-23 |
|
RU 22013539 20180514 RCR |
|
|
RU 22013539 20180514 |
|
|
RU AR-MARS 20180514 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20180514 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
phcs 2018 44 1 11 1 |
|
| 14889 |
