| Индекс УДК |
535.2/.3 539.19 |
|
Стехиометрия пленок диоксида кремния, полученных ионно-лучевым распылением [Текст] Е. В.Телеш, А. П. Достанко, О. В. Гуревич |
|
| Аннотация | С применением инфракрасной спектрометрии исследован состав SiOх-пленок, полученных ионно-лучевым распылением (ИЛР) кремниевой и кварцевой мишеней. Пленки толщиной 150-390 нм формировали на подложках из кремния. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в рабочем газе, повышение температуры подложки и наличие положительного потенциала на мишени при реактивном ИЛР кремния приводят к смещению основной полосы поглощения nas в высокочастотную область и росту композиционного индекса от 1. 41 до 1. 85. При ИЛР кварцевой мишени стехиометрия пленок ухудшается с увеличением энергии распыляющих ионов аргона, что может быть связано с ростом скорости нанесения. Увеличение тока термоэлектронного компенсатора, повышение температуры подложки и добавка кислорода способствуют формированию SiOх-пленок с улучшенной стехиометрией. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 85, № 1. - С. 76-81 |
