| Индекс УДК | 535.37 |
|
Diminution in the optical band gap and near band edge emission of nickel doped zinc oxide thin films deposited by sol-gel method [Текст] V. Grace Masih, N. Kumar, A. Srivastava |
|
| Примечание | Аннотация англоязычной статьи |
| Аннотация | Тонкие пленки оксида цинка, легированного никелем (Zn[1- x]Ni[x]O), показывают красное смещение оптической запрещенной зоны и края полосы фотолюминесценции. В тонких пленках Zn[1- x]Ni[x]O, полученных методом золь-гелевого центрифугирования, имеет место уменьшение ширины запрещенной зоны от 3. 23 до 3. 00 эВ при увеличении концентрации никеля от x = 0. 00 до x = 0. 06. Все тонкие пленки Zn[1- x]Ni[x]O имеют гексагональную структуру вюрцита и показывают уменьшение энергии края полосы эмиссии на 119 мэВ при увеличении концентрации легирующей примеси. Рентгеноструктурная спектроскопия свидетельствует об образовании ZnO в пленках; ИК-фурье-спектроскопия в ближней ИК области подтверждает это. Энергодисперсионный рентгеновский анализ также выявляет присутствие Ni в пленках и дает количество легирующей примеси, присутствующей в пленках. Сканирующая электронная микроскопия показывает, что все легированные Ni тонкие пленки ZnO обладают гранулярной морфологией поверхности. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 84, № 6. - С. 1021 |
