| Индекс УДК |
537.3 546 |
|
Кинетика и механизм объемной изотермической кристаллизации стекол As[2]Se[3]Sn[х] (х < 0.55) [Текст] Е. В. Школьников |
|
| Аннотация | Методами ЯГРС {119}Sn, РФА, измерения плотности, микротвердости и электропроводности закаленных образцов исследованы кинетика и механизм ступенчатых превращений при объемной изотермической кристаллизации полупроводниковых стекол As[2]Se[3]Sn[х] (х = 0. 26, 0. 40, 0. 55) в интервале температур 210-310 °С. Установлено, что первичная тонкодисперсная фаза SnSe инициирует гетерогенное зарождение и двумерный рост кристаллов вторичной основной фазы As[2]Se[3]. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 11. - С. 1218-1224 |
