| Индекс УДК |
546 539.2 |
|
Расчет электронного строения и обменного взаимодействия в полупроводниках InSb и GaAs при солегировании Mn и Ni [Текст] В. Г. Яржемский, С. В. Мурашов, А. Д. Изотов |
|
| Аннотация | Методом функционала электронной плотности рассчитано электронное строение полупроводников InSb и GaAs, легированных Mn, Ni и одновременно двумя магнитными атомами. Для расчета энергии ферромагнитного перехода использовался многомасштабный метод, в котором обменное взаимодействие вычисляется точным атомным методом Хартри - Фока и включается как параметр Хаббарда в расчет электронного строения кристалла. В результате расчетов получено, что во всех случаях имеется гибридизация d-состояний примеси с валентной зоной исходного полупроводника. Установлена приблизительная аддитивность солегирования Mn и Ni. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 11. - С. 1158-1162 |
