| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | noma17_to53_no11_ss1148_ad1 |
| Дата корректировки | 14:39:23 30 января 2018 г. |
| Кодируемые данные | 180120s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-noma17_to53_no11_ss1148_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК |
539.2 546 |
| Индекс ББК |
22.37 24.12 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Петухов, И. А. 070 z01710 |
|
|
Управление фазовым составом пленок сульфида кадмия при синтезе методом импульсного лазерного осаждения [Текст] И. А. Петухов [и др.] |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 6 рис., 1 табл. |
| Библиография | Библиогр.: с. 1152 (16 назв. ) |
| Аннотация | Выявлено присутствие смеси кубической (со структурой сфалерита) и гексагональной (со структурой вюртцита) фаз в тонких пленках сульфида кадмия, синтезированных на кристаллических и аморфных подложках методом импульсного лазерного осаждения. Установлена возможность управления относительным содержанием гексагональной и кубической фаз в составе пленок сульфида кадмия изменением параметров процесса импульсного лазерного осаждения. Изменяя параметры синтеза, можно управлять оптическими и структурными параметрами, а также морфологией тонких пленок сульфида кадмия. |
|
Физика AR-MARS Физика твердого тела. Кристаллография в целом AR-MARS Химия AR-MARS Химические элементы и их соединения AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
полупроводниковые пленки сульфид кадмия оптоэлектроника люминесценция морфология тонких пленок фазовый состав синтез импульсное лазерное осаждение |
|
Паршина, Л. С. 070 z02710 Новодворский, О. А. 070 z03710 Путилин, Ф. Н. 070 z04710 Лотин, А. А. 070 z05710 Храмова, О. Д. 070 z06710 Михалевский, В. А. 070 z07710 Черебыло, Е. А. 070 z08710 Козловский, В. Ф. 070 z09710 Маренкин, С. Ф. 070 z10710 Изотов, А. Д. 070 z11710 Иванов, В. К. 070 z12710 Румянцева, М. Н. 070 z13710 |
|
|
Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова z01700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт проблем лазерных и информационных технологий z02700 Вторичная ответственность Филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук Институт проблем лазерных и информационных технологий z03700 Вторичная ответственность Филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова z04700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт проблем лазерных и информационных технологий z05700 Вторичная ответственность Филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук Институт проблем лазерных и информационных технологий z06700 Вторичная ответственность Филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук Институт проблем лазерных и информационных технологий z07700 Вторичная ответственность Филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук Институт проблем лазерных и информационных технологий z08700 Вторичная ответственность Филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова z09700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова z10700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова z11700 Вторичная ответственность Российская академия наук Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова z12700 Вторичная ответственность Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова z13700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0002-337X |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 11. - С. 1148-1152 |
|
RU 36713090 20180120 RCR |
|
|
RU 36713090 20180120 |
|
|
RU AR-MARS 20180120 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20180120 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
noma 2017 53 11 1148 1 |
|
| 13607 |
