Поиск

Формирование методом ионно-лучевого напыления пленок Y[3]Fe[5]O[12] на Si с буферными слоями AlO[x] и SiO[2]

Авторы: Стогний, А. И. Новицкий, Н. Н. Голикова, О. Л. Беспалов, А. В. Gieniusz, R. Maziewski, A. Stupakiewicz, A. Смирнова, М. Н. Кецко, В. А.
Подробная информация
Индекс УДК 539.2
Формирование методом ионно-лучевого напыления пленок Y[3]Fe[5]O[12] на Si с буферными слоями AlO[x] и SiO[2]
[Текст]
А. И. Стогний [и др.]
Аннотация Распылением поликристаллической мишени состава Y[3]Fe[5]O[12] (железо-иттриевый гранат) пучком смеси ионов аргона и кислорода на подложках монокристаллического кремния получены аморфные пленки железо-иттриевого граната толщиной от 100 до 600 нм. При этом предварительно на поверхности Si были сформированы буферные слои AlO[x] или SiO толщиной до 0. 8 мкм. Кристаллизация гетероструктуры протекала на воздухе при температуре 950 °С в течение 30 мин. Свойства пленок анализировались магнитооптическими методами при помощи эффектов Керра и ферромагнитного резонанса. Величина параметра затухания Гильберта достигала 2, 8·10{-3}, а эффективное поле плоскостной магнитной анизотропии не зависело от типа буферного слоя. Это указывает на перспективность применения полученных пленочных гетероструктур в спинволновых полупроводниковых устройствах.
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 53, № 10. - С. 1093-1098