| Индекс УДК | 535.37 |
|
Фотолюминесценция выращенных жидкофазной эпитаксией наноструктур на основе фосфида галлия с квантовыми точками германия [Текст] И. И. Марончук, Д. Д. Саникович, А. А. Вельченко |
|
| Аннотация | Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с L = 4880 и 5145 A. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 84, № 5. - С. 826-829 |
