| Индекс УДК |
535.37 621.382 |
|
Оже-рекомбинация и усиленная люминесценция в InAsSb/InAsSbP-светодиодах при температурах 10-60 К [Текст] Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, Ю. П. Яковлев |
|
| Аннотация | На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs[0. 88]Sb[0. 12] рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs[0. 88]Sb[0. 12]/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур <35 К доминирующим процессом оже-рекомбинации является CHSH-процесс. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 84, № 5. - С. 786-793 |
