Поиск

Влияние плотности мощности лазерного излучения на параметры линии комбинационного рассеяния монокристаллического алмаза

Авторы: Гусаков, Г. А. Самцов, М. П. Воропай, Е. С.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер zhps17_to84_no4_ss545_ad1
Дата корректировки 11:52:33 29 ноября 2017 г.
Кодируемые данные 171030s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-zhps17_to84_no4_ss545_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 535.2/.3
539.2
Индекс ББК 22.343
22.37
Таблицы для массовых библиотек
Таблицы для массовых библиотек
Гусаков, Г. А.
070
Влияние плотности мощности лазерного излучения на параметры линии комбинационного рассеяния монокристаллического алмаза
[Текст]
Г. А. Гусаков, М. П. Самцов, Е. С Воропай
Библиография Библиогр.: с. 553 (20 назв. )
Аннотация Приведены результаты исследования влияния мощности возбуждающего лазерного излучения на спектры комбинационного рассеяния (КР) пластин (линейные размеры от 3*3 до 5*5 мм) монокристаллов синтетического алмаза с различным примесным составом. Установлено, что при увеличении плотности мощности лазерного излучения от 90 до 600 кВт/см{2} происходит разогрев образцов до нескольких десятков градусов, что приводит к сдвигу максимума линии КР алмаза на ~0. 5 см {-1} и росту полуширины полосы КР монокристаллов до ~0. 15 см {-1}. Температура разогрева, определенная по спектральным данным, коррелирует с оптической плотностью и геометрией образцов, а также условиями теплоотвода от их поверхности. На основании независимых измерений температуры кристалла на удалении от оси возбуждающего пучка показано, что изменение параметров основной линии КР определяется не локальным разогревом кристалла лазерным излучением, а носит объемный характер из-за высокой теплопроводности алмаза. Показано, что анализ параметров стоксовой и антистоксовой компонент спектра позволяет разделять температурный и примесный эффекты изменений характеристик основной линии КР. На примере образцов монокристаллов алмаза показано, что увеличение содержания примеси азота в решетке от 3 до 200 ppm приводит к сдвигу максимума линии КР в сторону меньших частот на ~0. 08 см {-1} и ее уширению на ~0. 23 см {-1}.
Физика
AR-MARS
Физическая оптика
AR-MARS
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
AR-MARS
Ключевые слова влияние примесей
возбуждение спектров рассеяния
комбинационное рассеяние
лазерное излучение
монокристаллический алмаз
монокристаллы синтетического алмаза
мощность лазерного излучения
примеси
температура образца
Самцов, М. П.
070
Воропай, Е. С.
070
ISSN 0514-7506
Название источника Журнал прикладной спектроскопии
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 84, № 4. - С. 545-553
RU
43013090
20171030
RCR
RU
43013090
20171030
RU
AR-MARS
20171030
RCR
RU
AR-MARS
20171030
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
zhps
2017
84
4
545
1
718