Индекс УДК |
544.22 537.2 |
Диэлектрические свойства кристаллов сегнетоэлектрических твердых растворов (Pb[1-x]Ba[x])[5]Ge[3]O[11] [Текст] А. В. Степанов, А. А. Буш, К. Е. Каменцев |
|
Аннотация | На выращенных в условиях медленного охлаждения расплавов кристаллах сегнетоэлектрических твердых растворов (Pb[1-x]Ba[x]) [5]Ge[3]O[11] с 0 < x < 0. 12 проведены рентгенографические и диэлектрические исследования. Установлено, что замещение в кристаллах атомов Pb на Ba вызывает монотонное увеличение размеров их гексагональной элементарной ячейки и довольно резкую деградацию их сегнетоэлектрических свойств: понижение точки Кюри T[c] от 450 до 120 К, уменьшение и уширение пиков диэлектрических проницаемости эпсилон[max] и потерь tgбета[max] при T[c]. Помимо аномалий в области T[c], диэлектрические свойства проявляют особенности релаксационного характера в областях 220-260 и 20-170 К. Уменьшение величины эпсилон[max] с ростом в кристаллах содержания Ba при x = 0. 06-0. 08 сменяется увеличением, при этих же концентрациях диэлектрические характеристики кристаллов заметно зависят от их термической предыстории. |
Название источника | Неорганические материалы |
Место и дата издания | 2017 |
Прочая информация | Т. 53, № 7. - С. 744-750 |