| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Кристаллическая структура и электронное строение InGaSe[2] [Текст] Э. М. Годжаев [и др.] |
|
| Аннотация | В работе излагается методика синтеза и технология выращивания монокристалла InGaSe[2]. Проведен рентгенофазовый анализ и выявлено, что данное соединение кристаллизуется в тетрагональной сингонии. На основе теории функционала плотности (DFT) из первых принципов определены оптимизированные параметры решетки и равновесные координаты атомов полупроводникового соединения InGaSe[2]. На основе оптимизированных данных проведены расчеты зонной структуры, полной и проектированной плотности энергетических состояний, определено происхождение зоны проводимости и валентной зоны, ширина запрещенной зоны. С помощью проектированной на отдельные атомы плотности состояний определен характер химической связи в InGaSe[2]. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 7. - С. 686-690 |
