| Индекс УДК |
544 546 539.2 |
|
Ориентированные пленки In[3 - x]S[4] на поверхности (100) монокристаллов Si, GaAs, InP [Текст] А. В. Наумов, А. В. Сергеева, В. Н. Семенов |
|
| Аннотация | Методом пиролиза аэрозоля водных растворов с использованием тиокарбамида в качестве сульфидизирующего агента осаждены пленки кубического сульфида индия на монокристаллические подложки: In[3 - x]S[4] (111) /Si (100), In[3 - x]S[4] (111) -GaAs (100) и In[3 - x]S[4] (111) /InP (100). Установлена возрастающая зависимость параметра a решетки сульфида от параметра решетки подложки, тогда как наибольшие структурные напряжения (наблюдаемые по уширению дифракционных рефлексов) сохраняются в пленке, выращенной на GaAs. Показано, что для данных пленок, в отличие от пленок, осажденных тем же методом на стеклообразных подложках, характерны постоянный фазовый состав и текстура (111). |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 6. - С. 570-577 |
