Поиск

Влияние хвойного препарата на рост и элементный состав сеянцев Pinus sylvestris L. в условиях лесного питомника

Авторы: Егорова, А. В. Чернобровкина, Н. П. Робонен, Е. В.
Подробная информация
Индекс УДК 630*2
Влияние хвойного препарата на рост и элементный состав сеянцев Pinus sylvestris L. в условиях лесного питомника
[Текст]
А. В. Егорова, Н. П. Чернобровкина, Е. В. Робонен
Аннотация Проведено испытание хвойного препарата производства Тихвинского химического завода на рост и накопление элементов минерального питания у двухлетних сеянцев сосны обыкновенной при выращивании в лесном питомнике в условиях открытого грунта. Выявлено стимулирующее действие препарата на рост растений при внесении в дозах 0, 03 мл м{-2}, 0, 1 и 0, 3 мл м{-2}. Максимальный положительный эффект наблюдался при дозе 0, 3 мл м{-2}. Масса хвои в этом варианте опыта была выше на 121 процент, масса сеянца - на 109 процентов, а линейные параметры - в 1, 5 раза по сравнению с контрольными растениями. Под воздействием препарата увеличивался вынос большинства химических элементов и их накопление в органах сеянцев. Исключение составили марганец по накоплению в стволиках и корнях и железо - в стволиках. Хвойный препарат в стимулирующих рост растений дозах оказал неоднозначное влияние на элеметный состав органов сеянцев в расчете на единицу сухого вещества. Отмечалось повышение или тенденция к повышению уровня фосфора в органах, калия в хвое и корнях, меди - в стволиках и корнях, а кальция, цинка и магния - в хвое. Внесение хвойного препарата в дозах 0, 03 мл м{-2}, 0, 1 и 0, 3 мл м{-2} приводило к понижению значений соотношения N/P в хвое и стволиках, а также изменяло соотношение N/P/K в хвое сеянцев сосны за счет увеличения доли фосфора, что свидетельствовало об оптимизации статуса фосфора у растений. Хвойный препарат можно рекомендовать для применения в лесных питомниках в качестве эффективного стимулятора роста при выращивании посадочного материала хвойных пород.
Название источника Химия растительного сырья
Место и дата издания 2017
Прочая информация № 2. - С. 171-180