Поиск

Изучение влияния условий роста методом ХГФО в режиме дугового разряда на образование и габитус кристаллов алмаза

Авторы: Блаут-Блачев, А. Н. Аверин, А. А. Шапагин, А. В. Спицын, Б. В.
Подробная информация
Индекс УДК 544
Изучение влияния условий роста методом ХГФО в режиме дугового разряда на образование и габитус кристаллов алмаза
[Текст]
А. Н. Блаут-Блачев[и др.]
Аннотация Экспериментально изучено формирование кристаллов алмаза методом CVD в газовой смеси метан/водород с использованием дугового разряда постоянного тока для активации газовой смеси. Получены данные о зависимости размеров кристаллов от состава газовой смеси, температуры подложки и других параметров. Скорость роста кристаллов при используемом методе может превышать 100 мкм/ч. Показано участие в процессе роста кристаллов электронов и отрицательно заряженных частиц.
Название источника Физикохимия поверхности и защита материалов
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 53, № 1. - С. 70-74