-
Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
Юнин, П. А., Волков, П. В., Дроздов, Ю. Н., Колядин, А. В., Королев, С. А., Радищев, Д. Б. , Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И.
Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 11. - С. 1321-1325 .-
Юнин_исследование
-
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Охапкин, А. И., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Юнин, П. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Королев, С. А., Дроздов, М. Н., Шашкин, В. И.
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 865-867
Охапкин_формирование
-
Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
Юнин, П. А., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Охапкин, А. И., Дроздов, М. Н., Королев, С. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Дроздов, Ю. Н., Шашкин, В. И.
Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 855-858
Юнин_модификация
-
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
Мурель, А. В., Шмагин, В. Б., Крюков, В. Л., Стрельченко, С. С., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И.
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1538-1542
Мурель_емкостная
-
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном
Охапкин, А. И., Королев, C. А., Королёв, C. А., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Хрыкин, О. И., Шашкин, В. И.
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном , [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506
Охапкин_низкотемпературное
-
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl
Охапкин, А. И., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Скороходов, Е. В., Шашкин, В. И.
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1362-1365
Охапкин_плазмохимическое
-
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Данильцев, В. М., Краёв, С. А., Демидов, Е. В., Дроздов, М. Н., Дроздов, Ю. Н., Краев, С. А., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И., Юнин, П. А.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 .-
Данильцев_сильно
