-
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .-
Деточенко_эпитаксиально
-
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
Сушков, А. А., Павлов, Д. А., Денисов, С. А., Чалков, В. Ю., Крюков, Р. Н., Питиримова, Е. А.
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133
Сушков_наращивание
-
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
Филатов, Д. О., Казанцева, И. А., Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Горшков, А. П., Мишкин, В. П.
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 563-568
Филатов_исследование
-
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Матвеев, С. А., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Филатов, Д. О., Степихова, М. В., Красильник, З. Ф.
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 .-
Шенгуров_условия
-
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Иванова, М. М., Качемцев, А. Н., Михайлов, А. Н., Филатов, Д. О., Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Чалков, В. Ю., Шенгуров, В. Г.
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 651-655
Иванова_влияние
