Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний
Тягинов, С.Э., Макаров, А. А., Jech, M., Векслер, М. И., Franco, J., Kaczer, B., Grasser, T.
Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 254-259
Тягинов_физические
