Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
  Савченко, Г. М., Дюделев, В. В., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Цацульников, А. Ф., Когновицкая, Е. А., Лосев, С. Н., Кучинский, В. И., Аверкиев, Н. С., Соколовский, Г. С.
  
  Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 9. - С. 1680-1683 .- Савченко_фотонно-кристаллический
• Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
  Петров, В. Н., Тальнишних, Н. А., Черняков, А. Е., Шабунина, Е. И., Шмидт, Н. М., Козловский, В. В., Кудояров, М. Ф., Сахаров, А. В., Полоскин, Д. С., Лундин, В. В.
  
  Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 804-811 Емцев_многообразие
• Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
  Лундин, В. В., Родин, С. Н., Сахаров, А. В., Лундина, Е. Ю., Усов, С. О., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Цацульников, А. Ф.
  
  Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 101-104 Лундин_нитевидные
• Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
  Земляков, В. Е., Волков, В. В., Парнес, Я. М., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Цацульников, А. Ф., Черкашин, Н. А., Мизеров, М. Н. , Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 .- Тихомиров_оптимизация
• Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии
  Лундин, В. В., Цацульников, A. Ф., Родин, С. Н., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Митрофанов, М. И., Левицкий, Я. В., Евтихиев, В. П.
  
  Селективный эпитаксиальный рост III-N-структур с использованием ионной нанолитографии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1237-1243 Лундин_селективный
• Ширина линии излучения и альфа-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
  Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Блохин, А. А., Кузьменков, А. Г., Васильев, А. П., Задиранов, Ю. М., Сахаров, А. В., Карачинский, Л. Я., Малеев, Н. А., Устинов, В. М.
  
  Ширина линии излучения и альфа-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 98-104 Блохин_ширина
• Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Заварин, Е. Е., Яговкина, М. А., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Карпов, С. Ю., Устинов, В .М.
  
  Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 .- Цацульников_влияние
• Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
  
  Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .- Цацульников_эпитаксиальный
• Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
  Большаков, А. С., Чалдышев, В. В., Заварин, Е. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В., Цацульников, А. Ф.
  
  Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1451-1454 .- Большаков_оптическая