-
Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
Дюков, Д. И., Фефелов, А. Г., Коротков, А. В., Павельев, Д. Г., Козлов, В. А., Оболенская, Е. С., Иванов, А. С., Оболенский, С. В.
Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1158-1162
Дюков_сравнение
-
Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. A., Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот, [Текст]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1493-1497
Павельев_оптимизация
-
Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. A., Оболенская, Е. С.
Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1337-1345
Павельев_радиационная
-
Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
Павельев, Д. Г., Васильев, А. П., Козлов, В. А., Кошуринов, Ю. И. , Оболенская, Е. С., Оболенский, С. В., Устинов, В. М.
Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1548-1553
Павельев_моделирование