Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Прудаев, И. А., Копьёв, В. В., Копьев, В. В., Романов, И. С., Олейник, В. Л.
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 240-246
Прудаев_влияние
