-
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
Окулич, Е. В., Окулич, В. И., Тетельбаум, Д. И.
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 771-777
Окулич_расчет
-
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Васильев, В. К., Гусейнов, Д. В., Окулич, Е. В., Шемухин, А. А., Суродин, С. И., Нежданов, А. В., Пирогов, А. В., Тетельбаум, Д. И.
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 274-278 .-
Королев_послойный
-
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
Окулич, Е. В., Окулич, В. И., Тетельбаум, Д. И.
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 967-972
Окулич_расчет
