-
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Яблонский, А. Н. , Алёшкин, В. Я., Морозов, С. В., Гапонова, Д. М., Алешкин, В. Я., Шенгуров, В. Г., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Байдусь, Н. В., Красильник, З. Ф.
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458
Яблонский_стимулированное
-
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
Трухин, В. Н., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Мустафин, И. А., Цырлин, Г. Э., Курицын, Д. И., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Kakko, J. P., Lipsanen, H.
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1587-1591 .-
Трухин_резонансный
-
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами
Козлов, Д. В., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Кадыков, А. М., Фадеев, М. А., Варавин, В. С., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Гавриленко, В.И. , Teppe, F.
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1690-1696 .-
Козлов_вакансии
-
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Румянцев, В. В., Фадеев, М. А., Морозов, С. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Кадыков, А. М., Дворецкий, С. А. , Михайлов, Н. Н. , Гавриленко, В. И., Teppe, F.
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1679-1684
Румянцев_длинноволновое
-
Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур
Григорьев, М. В., Новосёлов, К. С., Казарян, Д. А., Вдовин, Е. Е., Ханин, Ю. Н., Морозов, С. В., Новоселов, К. С.
Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в h-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур, [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 3. - С. 238-243 .-
Григорьев_роль
-
Флавоноиды некоторых видов растений рода Silene
Зибарева, Л. Н., Филоненко, Е. С., Черняк, Е. И., Морозов, С. В., Котельников, О. А.
Флавоноиды некоторых видов растений рода Silene, Л. Н. Зибарева, Е. С. Филоненко, Е. И. Черняк [и др.]
граф., табл.
// Химия растительного сырья .-
2022 .-
№ 3. - С. 109-118 .-
