Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Левин, Р. В., Маричев, А. E., Тимошина, Н. Х., Пушный, Б. В.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1641-1646
Хвостиков_фотоэлектрические
