Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO[2]/Si(111)
Паршин, А. С., Кущенков, C. А., Пчеляков, О. П., Михлин, Ю. Л.
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 344-349 .-
Паршин_послойный
