Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe:In/BaF[2]
  Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Супрун, С. П., Эпов, В. С.
  
  Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe:In/BaF[2], [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1569-1573 Акимов_влияние
• Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
  Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Пащин, Н. С., Ярошевич, А. С., Савченко, М. Л., Эпов, В. С. , Федосенко, Е. В.
  
  Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 11. - С. 1574-1578 .- Акимов_связь
• Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом
  Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Эпов, В. С.
  
  Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1401-1406 Акимов_эффект
• Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
  Климов, А. Э., Акимов, А. Н., Голяшов, В. А., Ищенко, Д. В., Неизвестный, И. Г., Сидоров, Г. Ю., Супрун, С. П., Тарасов, А. С., Терещенко, О. Е., Эпов, В. С.
  
  Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1122-1128 Климов_особенности
• Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
  Акимов, А. Н., Ахундов, И. О., Ищенко, Д. В., Климов, А. Э., Неизвестный, И. Г., Пащин, Н. С., Супрун, С. П., Тарасов, А. С., Терещенко, О. Е., Федосенко, Е. В.
  
  Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 8. - С. 796-800 .- Акимов_знакопеременная
• Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb[0.74]Sn[0.26]Te(In) с модифицируемой поверхностью
  Иконников, А. В., Дудин, В. C., Артамкин, А. И., Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Терещенко, О. Е., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
  
  Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb[0.74]Sn[0.26]Te(In) с модифицируемой поверхностью, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 896-901 Иконников_оптические
• Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении
  Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Неизвестный, И. Г., Шумский, В. Н., Эпов, В. С.
  
  Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 447-453 .- Акимов_температурные
• Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
  Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Морозов, С. В., Супрун, С. П., Эпов, В. С. , Иконников, А. В., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В.
  
  Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1713-1719 .- Акимов_гигантская
• Твердый раствор PbSnTe : In - уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
  Ищенко, Д. В., Климов, А. Э., Шумский, В. Н., Эпов, В. С.
  
  Твердый раствор PbSnTe : In - уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1662-1668 Ищенко_твердый
• Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF[2]
  Климов, А. Э., Эпов, В. С.
  
  Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF[2], [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1501-1508 Климов_анизотропия