Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
  Самарцев, И. В., Алёшкин, В. Я., Дикарёва, Н. В., Чигинёва, А. Б. , Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н. , Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Пашенькин, И. Ю. , Дикарева, Н. В.
  
  Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1460-1463 .- Самарцев_фотоприемники
• Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
  Дикарева, Н. В., Дикарёва, Н. В., Алёшкин, В. Я., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А.
  
  Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1410-1413 Дикарева_двухчастотный
• Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением
  Кунькова, З. Э., Ганьшина, Е. А., Голик, Л. Л., Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Ковалев, В. И., Зыков, Г. С., Маркин, Ю. В., Вихрова, О. В., Звонков, Б. Н.
  
  Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 940-946 .- Кунькова_фазовое
• Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур
  Алафердов, А. В., Мошкалёв, С. А., Вихрова,О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Мошкалев, С. А.
  
  Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил., табл. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 3. - С. 399-406 Алафердов_использование
• Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Нежданов, А. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Пашенькин, И. Ю.
  
  Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2130-2134 .- Вихрова_модифицирование
• Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Кудрин, А.В., Калентьева, И. Л., Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
  
  Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 351-358 Звонков_исследование
• Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
  
  Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806 Звонков_формирование
• Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
  Некоркин, С. М., Дикарёва, Н. В., Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Дикарева, Н. В., Вихрова, О. В., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В.
  
  Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 75-78 Некоркин_влияние
• Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Калентьева, И. Л., Нежданов, А. В., Парафин, А. Е., Хомицкий, Д. В., Антонов, И. Н.
  
  Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343 Вихрова_импульсное
• Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
  Данилов, Ю. А., Ведь, М. В., Вихрова, О. В., Дроздов, М. Н., Звонков, Б. Н. , Ковальский, В. А., Крюков, Р. Н., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Юнин, П. А.
  
  Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 868-872 Данилов_углеродные
• Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
  Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Некоркин, С. М., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Котомина, В. Е.
  
  Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1443-1446 Звонков_оптический
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
  Планкина, С. М., Вихрова, О. В., Звонков, Б. Н. , Нежданов, А. В., Пашенькин, И. Ю.
  
  Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 11. - С. 1510-1513 .- Планкина_применение
• Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Антонов, И. Н.
  
  Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1286-1290 Калентьева_влияние
• Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н.
  
  Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 596-599 .- Алешкин_стимулированное
• Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
  Яковлев, Г. Е., Дорохин, М. В., Зубков, В. И., Дудин, А. Л., Здоровейщев, А. В. , Малышева, Е. И., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В.
  
  Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 873-880 Яковлев_особенности
• Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В.
  
  Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2196-2199 .- Вихрова_излучающие
• Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
  Байдусь, Н. В., Кукушкин, В. А., Звонков, Б. Н. , Некоркин, С. М.
  
  Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1576-1582 .- Байдусь_наногетероструктуры
• Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
  Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Павлов, Д. А., Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Крюков, Р. Н.
  
  Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1463-1468 .- Дорохин_формирование
• Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дроздов, М. Н.
  
  Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1490-1496 .- Калентьева_влияние