-
Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
Асрян, Л. В. , Зубов, Ф. И., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1380-1386 .-
Асрян_теория
-
Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
Жуков, А. Е. , Гордеев, Н. Ю., Шерняков, Ю. М., Паюсов, А. С., Серин, А. А., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В.
Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1351-1356
Жуков_снижение
-
Предельная температура генерации микродисковых лазеров
Жуков, А. Е. , Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В.
Предельная температура генерации микродисковых лазеров, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 570-574
Жуков_предельная
-
Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
Зубов, Ф. И., Муретова, М. Е., Паюсов, А. С., Максимов, М. В., Жуков, А. Е. , Асрян, Л. В.
Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 296-303
Зубов_паразитная
-
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
Моисеев, Э. И., Максимов, М. В., Крыжановская, Н. В., Симчук, О. И., Кулагина, М. М., Кадинская, С. А., Guina, M., Жуков, А. Е.
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 212-216
Моисеев_сравнительный
