-
Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира различной геометрии
Семенов, А. Н., Семёнов, А. Н., Нечаев, Д. В., Трошков, С. И., Нащекин, А. В., Брунков, П. Н., Жмерик, В. Н., Иванов, С.В.
Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира различной геометрии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1663-1667
Семенов_особенности
-
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300K
Торопов, А. А., Шевченко, Е. А., Шубина, Т. В., Жмерик, В. Н., Нечаев, Д. В., Pozina, G., Иванов, С. В.
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300K, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 11. - С. 2180-2185 .-
Торопов_наноструктуры
-
Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей
Кузнецова, Я. В., Жмерик, В. Н., Нечаев, Д. В., Кузнецов, А. М., Заморянская, М. В.
Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 921-926 .-
Кузнецова_особенности
