-
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .-
Деточенко_эпитаксиально
-
Лесоводственно-статистический подход к назначению способов лесовосстановления при лесоустройстве
Черных, Л. В., Черных, Д. В., Денисов, С. А., Черных, В. Л.
Лесоводственно-статистический подход к назначению способов лесовосстановления при лесоустройстве, [[Текст]], Л. В. Черных [и др.]
// Известия вузов. Лесной журнал .-
2017 .-
№ 4. - С. 9-22 .-
-
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“
Сушков, А. А., Павлов, Д. А., Денисов, С. А., Чалков, В. Ю., Крюков, Р. Н., Питиримова, Е. А.
Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO[2]/Si (100) методом ”горячей проволоки“, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1129-1133
Сушков_наращивание
-
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии
Филатов, Д. О., Казанцева, И. А., Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Горшков, А. П., Мишкин, В. П.
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 563-568
Филатов_исследование
-
Электропроводность модифицированных нанопорошков детонационного алмаза
Соколина, Г. А., Денисов, С. А., Чопурова, А. Г., Банцеков, С. В., Болдырев, Н. Ю., Спицын, Б. В.
Электропроводность модифицированных нанопорошков детонационного алмаза, [Текст], ил.
Химия и химическая технология. Изв. вузов, 2010, Т. 53, № 10.- С. 69-74
-
Адсорбционные и электрические свойства порошков наноалмаза в присутствии паров воды
Денисов, С. А., Соколина, Г. А., Богатырева, Г. П., Гранкина, Т. Ю., Красильникова, О. К., Плотникова, Е. В., Спицын, Б. В.
Адсорбционные и электрические свойства порошков наноалмаза в присутствии паров воды, [Текст]
ил.
Физикохимия поверхности и защита материалов, 2013, Т.49, № 3. - С. 270-276
-
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Матвеев, С. А., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Филатов, Д. О., Степихова, М. В., Красильник, З. Ф.
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 .-
Шенгуров_условия
-
Электропроводность и диэлектрическая проницаемость системы наноалмаз - адсорбированная вода вблизи перколяционного порога
Соколина, Г. А., Денисов, С. А.
Электропроводность и диэлектрическая проницаемость системы наноалмаз - адсорбированная вода вблизи перколяционного порога , [Текст]
ил.
Химия и химическая технология. Изв. вузов, 2013, Т. 56, № 5. - С. 70-74
